研究室紹介 Laboratory LINE UP

未来エネルギー工学研究室

持続可能エネルギー 環境調和型指向の新技術を創出する。

現在、世界人口の急激な増加とそれに伴う化石燃料の大量消費によって引き起こされる環境汚染、そして気候変動の問題が地球規模で深刻化しています。人類がこの危機を乗り越え恒久的に存続するためには、環境に負荷をかけずに調和しつつ持続する新しいエネルギー社会の構築が必須です。私たちは、そのような新エネルギーの利用と環境調和を促進する技術の研究・開発を進めています。高効率・省材料の新型太陽電池をはじめ、太陽熱、室内光、廃熱、振動など種々のエネルギーを有効利用する様々なエネルギー変換素子や、環境浄化機能を有する新規デバイスの創製をめざしています。

エネルギー変換デバイス、固体電子工学、薄膜電子材料

多層薄膜光触媒デバイス。光照射によってアルカリ水溶液から水素と酸素が分離生成している様子

  • 松木 伸行  准教授

    [連絡先]

    matsuki@kanagawa-u.ac.jp

    松木先生のインタビュー
  • 佐藤 知正 助手

    [連絡先]

    satout02@kanagawa-u.ac.jp

[主な担当科目]

松木:エネルギー工学,電気磁気学Ⅰ・Ⅱ,電気電子情報実験Ⅳ

佐藤:電気電子情報実験Ⅲ・Ⅳ

  • 研究分野

    ・エネルギー変換デバイス ・固体電子工学 ・薄膜電子材料

  • 研究内容

    1.新型太陽電池・光電変換材料の開発
    2.フレキシブル電子デバイスの開発
    3.環境調和型薄膜機能材料の創製

発表論文

1) A Novel Optical Characterization of a-Si:H/c-Si Interface Microstructures Based on Data of Positron Annihilation Spectroscopy, ECS Transaction, 92 (9), 21-24 (2019).
2) 紫外光をカットし発電する窓材料:透明太陽電池の開発,MATERIAL STAGE,18 (6),30-34 (2018).
3) Combinatorial screening of halide perovskite thin films and solar cells by mask-defined IR laser molecular beam epitaxy, Science and Technology of Advanced Materials 18, 307-315 (2017).
4) Impact of sputter-induced ion bombardment at the heterointerfaces of a-Si:H/c-Si solar cells with double-layered In2O3:Sn structures, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 8, 08KD09-1~6, (2015).
5) Characterization of a-Si:H thin layers incorporated into textured a-Si:H/c-Si solar cell structures by spectroscopic ellipsometry using a tilt-angle optical configuration, Thin Solid Films 569, 64-69, (2014).
6) Nondestructive characterization solar cell structures with nanometer-scale a-Si:H and In2O3:Sn layers by spectroscopic ellipsometry, J. Appl. Phys. 114, 4, 043101-1~5, (2013).
7) π-Conjugated polymer/GaN Schottky solar cells, Solar Energy Materials and Solar Cells, 95 , 1, 284-287, (2011).
8) Heterointerface properties of novel hybrid solar cells consisting of transparent conductive polymers and III-nitride semiconductor, J. Nonlinear Opt. Phys. Mater., 19, 4, 703-711, (2010).
9) Photovoltaic action in polyaniline/n-GaN Schottky diodes, Applied Physics Express, 2, 9, 092201-1~3, (2009).
10) Direct observation of the electrical activity of coincidence-site lattice boundaries in location controlled silicon islands using scanning spread resistance microscopy, Journal of the Society for Information Display, 17, 3, 293~297, (2009).